U盘芯片也称为闪存芯片，主要分为三种：SLC、MLC和TLC芯片。相信很多朋友还不知道这三种芯片有什么含义、特性及优缺点，下面就为大家简单介绍一下SLC、MLC和TLC这三种芯片以及它们之间的对比。

　　一、SLC、MLC和TLC三代闪存的含义介绍：

　　SLC芯片详细介绍

　　“SLC”英文全称“Single-Level Cell”(即单层式储存)，又名“1bit/cell”，主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于“Silicon efficiency”的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。

　　MLC芯片详细介绍

　　“MLC”英文全称“Multi-Level Cell”(即多层式储存)，又名“2bit/cell”，主要由东芝、Renesas、三星使用。英特尔(Intel)在1997年9月最先开发出MLC，它作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate(闪存存储单元中存放电荷的部分)，然后利用不同电位(Level)的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

　　TLC芯片详细介绍

　　“TLC”英文全称“Triple-Level Cell”，又名“3bit/cell”，也有Flash厂商称它为“8LC”，TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

　　二、SLC、MLC和TLC三代闪存的特性介绍：

　　SLC特性：运转和反应速度快，使用寿命长，价格也很贵，大概是“MLC”价格的三倍以上，大约十万次写入(擦写)寿命。

　　MLC特性：运转和反应速度一般、使用寿命一般，购买价格也一般，大约3000到10000次的写入(擦写)寿命。

　　TLC特性：它的运转和反应速度最慢，使用的寿命也最短，而且价格也最便宜，大约500次的写入(擦写)寿命，到目前位置，还没有哪个厂家能够做到1000次写入(擦写)的。

　　闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，而不是读出的次数，因为读取对U盘芯片的寿命影响不大。

　　三、SLC、MLC和TLC三代闪存芯片寿命差异比较：

　　SLC闪存利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。

　　MLC闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC(容量大了一倍，寿命缩短为1/10)。

　　TLC闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC(容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20)。

　　四、SLC和MLC的缺点比较

　　MLC架构有不少缺点，首当其冲的是使用寿命比SLC要短，MLC架构只能够承受1万次的擦写，而SLC架构却可以承受10万次的擦写。

　　其次就是存取速度慢，在当前的技术条件下，MLC芯片理论上存取速度只能达到6MB左右，而SLC架构的存取速度要比MLC架构的存取速度快三倍以上呢!

　　还有就是MLC的电流消耗比SLC高，如果在同等使用条件下MLC跟SLC相比的话，MLC的电流消耗要比SLC的电流消耗多出百分之十五左右。

　　总结：虽然MLC跟SLC相比，MLC缺点要多，但在单颗芯片容量方面，当前MLC还是占据绝对优势的。因为MLC架构和成本都占有绝对优势，能够满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

　　看了上面这么多的内容现在相信大家都了解了SLC、TLC和MLC的区别了吧?说了这么多大家一定还是想知道究竟这三种U盘芯片究竟哪个最好，其实这个问题并没有准确答案，这三种主流U盘芯片各有其特点，对于普通使用U盘的用户来说，影响不是太大，只要我们注意购买时不要买到假货就行了。